電子機器の高機能・小型化が進むにつれ、半導体チップの計算処理の高速化、データの大容量化、高集積化が求められています。そのためには半導体チップの回路パターンを微細にする必要がありますが、現行の光リソグラフィ技術*注１では、「7nm世代」と呼ばれる半導体デバイスの微細なパターン形成は、理論上難しくなっています。この微細なパターン形成の最有力とされているのが、EUV*注2露光技術です。

AGCはEUV露光技術で用いられるフォトマスクブランクス(以下EUVマスクブランクス)の研究開発を、2003年に開始しました。AGCの保有するガラス材料技術、ガラス加工技術、コーティング技術などを統合し、現在では「ガラス材料」から「膜材料」までを一貫して手掛けることができる、世界で唯一のEUVマスクブランクスメーカーとなっています。今後主流になるEUV露光技術の拡大を見据え、EUVマスクブランクスの供給体制を、グループ会社であるAGCエレクトロニクス社において、本年より大幅に増強することを決定しました。

＜ご参考＞

■AGCエレクトロニクス社について■

■EUVマスクブランクスについて■

EUVマスクブランクスとは、低膨張ガラス基板の表面に複数の組成から成る膜を積層した、「フォトマスク」の原版です。回路の微細化に伴い、EUVマスクブランクスに対する
・非常に小さなサイズの欠陥を限りなくゼロに近づけること
・非常に高い平坦度であること
といった要求水準は、更に高くなっています。