





EUVマスクブランクス
最先端半導体製造に必要な“ブランクス”を、ガラス材料から膜材料まで一貫して製造しています。
ブランクス製造に必要な生産技術や次世代ブランクスに要求されるガラス・膜などの材料開発も行っています。

半導体製造装置部材用 耐プラズマコーティング
イットリウムコーティング(Y₂O₃/Y₅O₄F₇)
イオンアシスト蒸着法で緻密かつ高硬度な膜が実現できます。
耐プラズマ性の向上により部材寿命の延命に貢献します。

高純度コージェライト
高純度コージュライトは以下の特長を持ちます。
- 優れたプラズマ腐食による部品の低交換頻度
- 極めて低い不純物汚染による検出率の低減
- 優れた熱衝撃耐性(低CTE)によるスループットの向上
- 柔軟な形状設計(複雑な形状)

セリア系CMPスラリー
原料砥粒からスラリーまで一貫生産できる強みを活かし、CMPプロセスに対応したスラリー+研磨ソリューションを提供しています。
半導体の多層構造を実現する技術として、SiやSiO2をはじめとした各種ケイ素系材料や配線工程用金属等への高平坦研磨・選択比制御を保有し、半導体前工程・後工程等の各種研磨など様々な研磨要求に応えられるようスラリーの最適化を行っています。

モールド離型フィルム
Fluon® ETFE FILM
Fluon® ETFEは、代表的なフッ素樹脂であるPTFE、PFA、FEPに匹敵する耐薬品性、電気的性質を保持しつつ、準フッ素樹脂であるECTFE、PVdFに対しては改良された機械的特性と極めて容易な成型加工性を兼ね備えることで一歩進んだ、フッ素樹脂の中では丁度中間的でバランスのとれたフッ素樹脂です。

ガラスコア/インターポーザ
微細孔付きガラス基板
薄板ガラス基板にご要望のパターンで、微細孔形成を実施します。半導体パッケージの3D実装用回路基板、その他幅広い分野での使用が可能です。以下の特長を持ちます。
- 正確な細ピッチのTGVおよびキャビティ形成
- 広範なガラス組成と厚み(0.2〜1.0mm)で利用可能
- 1.0mmtにおける高アスペクト比(最大20:1)
- 反り制御のための高弾性率およびCTE調整可能性
- パネル形式での生産(例: 510x515mm)

ガラスキャリア(SWAN)
半導体パッケージ用ガラス基板
半導体パッケージ用途での工程の支持基板として適したガラス基板です。
平坦・平滑性が特徴です。形状はΦ300mm等のウェハ、または500mm角等のパネルサイズに対応しています。

光インターフェース
POW、GOW
POWとGOWは以下の特長を持ちます。
- 高透過率(Oバンド/Cバンド)
- リフロー互換性/高出力レーザーへの耐久性
- フォトリソグラフィによる細かいパターニング

光学部品
非球面ガラスモールドレンズ、マイクロレンズアレイ
ガラスモールド精密成形技術を駆使して作製された光学機器の性能を向上させる、非球面のガラスレンズ・マイクロレンズアレイ・透過型回折格子です。

フッ素樹脂
Fluon+™ EA-2000
Fluon+™ EA-2000は、フッ素樹脂はくっつかないという固定概念を覆す、高い接着性を兼ね備えたユニークなフッ素樹脂です。
耐熱性、電気特性などフッ素樹脂の優れた特性を維持しつつ、接着性・分散性をプラスしました。

フッ素樹脂・ゴム
Fluon® ETFE/PFA, AFLAS® FFKM
AGCの高品質なフルオロポリマー樹脂は信頼性があり、用途においても多様性があります。
環境への耐久性、純度、低融点、非粘着性、化学物質や気候に対する耐性など、さまざまな特性を備えています。