旭硝子株式会社（本社：東京、社長：石津進也）と東北大学工学研究科の小柳教授の研究グループは、旭硝子が保有するシナジーセラミックスの基本技術を応用し、高密度金属ナノ粒子を用いた新しい不揮発メモリー"メタルナノドット（以下、ＭＮＤ）メモリー"の開発に成功しました。（図１、２）MNDメモリーは、不揮発メモリーとして一般に最も広く使われているフラッシュメモリーよりも高度な情報保持特性を持つことから、今後フラッシュメモリーの代替として期待されます。

旭硝子は、自社で長年培ってきたガラス、セラミックス、化学品など無機から有機に至る広い範囲の素材・技術を生かし、半導体製造装置用部材の開発・製造・販売を行っていますが、今回の開発は、国家プロジェクトの一環として旭硝子が携わっているシナジーセラミックスの研究開発成果としての金属超微粒子分散膜の技術を応用しています。
一方、小柳教授の研究グループは、極微細半導体素子の試作と特性解析用専用並列処理システムの設計・開発などの研究を行っています。

近年デジタルカメラを始めとする各種デジタル家電市場の爆発的な拡大に伴い、高密度、高特性の不揮発メモリーへのニーズが急速に増しており、それに伴い様々な不揮発メモリーが開発、提案されています。その中でも特にフラッシュメモリーは、高密度、低コスト、安定した使用実績の点で現在最も広く使われている不揮発メモリーの一つになっています。しかしながら、フラッシュメモリーも情報保持特性を決めているトンネル酸化膜の薄膜化が限界に近づきつつあることから、近い将来、セルサイズの縮小も限界に達するものと考えられています。この問題を解決するために、シリコン量子ドットメモリーやMONOSメモリーなどの新型メモリー素子が提案されていますが、十分高い蓄積電荷密度が得られているとは言えません。そこで、小柳教授は、旭硝子の開発した高密度金属ナノ粒子分散膜（MND膜）に着目し、新しいメタルナノドット（MND）メモリーの基本構造を提案するとともに、旭硝子と共同でこのメモリーの試作に取り組んできました。メモリーの試作は、東北大学のベンチャー・ビジネス・ラボラトリーで行いました。
今回開発したMNDメモリーの特徴は次の通りです。

今後、旭硝子は、"ＭＮＤメモリー"の基本技術を半導体メーカーにライセンスする予定であり、主として現状のフラッシュメモリー市場（1兆円）およびハードディスク（2.6兆円）など既存磁気記憶媒体市場の一部の置き換えを見込んでいます。

以　上

（ご参考）

図１．MNDメモリ素子

図２．ＭＮＤメモリ素子 断面概略図

図３．Co−SiO2系MND膜 断面TEM写真