ロイセラム®-HS ｜製品情報

炭化ケイ素 SiC

ロイセラム^®-HS

高純度・高強度・低熱膨張のセラミックス

炭化ケイ素（SiC：Silicon Carbide 製品名：ROICERAM^®-HS）は高純度・高強度・低熱膨張という特長をもち、耐酸性・耐熱性に優れています。主に高温で使用される半導体製造装置の部材として、30年以上の実績があります。そこで培われた様々な技術を活かして、近年は、LED・太陽電池・SiCパワーデバイス用途でも採用されています。

使用用途

半導体製造装置用部材（Si、SiCパワーデバイス、高温酸化・拡散炉、LPCVD炉）
LED製造装置用部材（MOCVD炉）
太陽電池製造装置用部材（高温拡散炉）
精密光学機器用構造部材
航空宇宙分野など

炭化ケイ素(Silicon Carbide)とは

シリコン（Si）と炭素（C）が結合した化合物で、セラミックスに分類されます。ダイヤモンド・炭化ホウ素に次ぐ高い硬度をもち、耐熱性・化学的安定性・耐酸化性・熱伝導性に優れています。

ロイセラム^®-HSの特長

ロイセラム^®-HSの物性データ

項目	単位	ロイセラム^®‐HS Uグレード
見かけ嵩密度	kg/㎥	3.0×10³
3点曲げ強度	MPa	230
ヤング率	GPa	366
熱膨張係数	10^-6/℃	4.4
熱伝導率	W/(m・K)	180
比熱	J/(kg・K)	0.7×10³
体積固有抵抗率（20℃）	Ω・cm	1×10^-1

データは参考値であり、保証値ではありません。

技術開発

主に高温で使用される半導体製造装置の部材として、30年以上の実績があり、そこで培われた様々な技術［①複雑な構造を実現する接合技術　②ミクロンオーダーの精度を実現する精密加工技術　③気相成長（CVD）法によるSiC成膜技術］を活かして、近年は、LED・太陽電池・SiCパワーデバイス用途でも採用されています。また、SiCは原子力や核融合、航空宇宙分野などでの応用が期待されています。AGCはこれらを含めた新しいアプリケーションの可能性を追求した技術開発を続けています。